Tag: schottky

การเพิ่ม 1200V ของ Toshiba ในกลุ่มผลิตภัณฑ์ไดโอด SiC Schottky Barrier รุ่นที่สามจะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพสูงในอุปกรณ์ไฟฟ้าทางอุตสาหกรรม

Toshiba’s 1200V Additions to its Lineup of Third-Generation SiC Schottky Barrier Diodes Will Contribute to High Efficiency in Industrial Power Equipment

Toshiba เปิดตัว SiC Schottky Barrier Diodes 650V รุ่น 3 ที่ช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพมากขึ้น

Toshiba Releases 3rd Generation 650V SiC Schottky Barrier Diodes that Contribute to More Efficient Industrial Equipment

Toshiba พัฒนา SiC MOSFET พร้อมไดโอดกั้น Schottky ในตัวที่ให้ความต้านทานต่ำและมีความน่าเชื่อถือสูง

Toshiba Develops SiC MOSFET with Embedded Schottky Barrier Diode that Delivers Low On-Resistance and High Reliability