– สมาชิกใหม่ในซีรีส์ DTMOSVI รุ่นล่าสุดซึ่งใช้โครงสร้างแบบ Super Junction –
คาวาซากิ, ญี่ปุ่น –(BUSINESS WIRE)–22 กุมภาพันธ์ 2024
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“โตชิบา”) ได้เพิ่ม DTMOSVI(HSD) ซึ่งเป็นทรานซิสเตอร์ Power MOSFETs ที่มีไดโอดความเร็วสูงและเหมาะสำหรับหน่วยจ่ายกำลังกลุ่ม Switching Power Supply รวมถึงศูนย์ข้อมูลและเครื่องกรองไฟฟ้า PV ในรุ่นล่าสุดของซีรีส์[1] DTMOSVI ซึ่งใช้โครงสร้างแบบ Super Junction โดยสองผลิตภัณฑ์แรกสุดอย่าง Power MOSFETs 650V N-channel ในแพ็กเกจ TO-247 อย่าง “TK042N65Z5” และ “TK095N65Z5” จะเริ่มจัดส่งในวันนี้
โตชิบา: DTMOSVI(HSD) Power MOSFETs พร้อมไดโอดความเร็วสูงที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของหน่วยจ่ายกำลัง (ภาพ: Business Wire)
บรรดาผลิตภัณฑ์ใหม่นี้จะใช้ไดโอดความเร็วสูงเพื่อปรับปรุงการฟื้นตัวของไดโอด[2] ในแง่ของคุณสมบัติต่างๆ ที่สำคัญสำหรับการใช้งานในวงจรบริดจ์และวงจรอินเวอร์เตอร์ เมื่อเทียบกับ DTMOSVI แบบมาตรฐาน ทรานซิสเตอร์รุ่นใหม่ใช้เวลาในการฟื้นตัว (trr) น้อยลงถึง 65% และประจุฟื้นตัว (Qrr) น้อยลง 88% (สภาวะแวดล้อมการวัดผล: -dIDR/dt= 100A/μs)
กระบวนการ DTMOSVI(HSD) ที่ใช้ในผลิตภัณฑ์ใหม่ช่วยปรับปรุงคุณสมบัติในการฟื้นตัวของซีรีส์ DTMOSIV ที่ใช้ไดโอดความเร็วสูง (DTMOSIV(HSD)) ของโตชิบา โดยมีกระแสคัตออฟที่ขั้วเดรนต่ำลงที่อุณหภูมิสูง ส่วน Figure of Merit “Drain-Source On-resistance × Gate-Drain Charge” ก็ต่ำลงเช่นกัน กระแสคัตออฟที่ขั้วเดรนที่อุณหภูมิต่ำของ TK042N65Z5 ต่ำลงประมาณ 90%[3] ส่วน Drain-Source On-resistance × Gate-Drain Charge ต่ำลง 72% เมื่อเทียบกับ TK62N60W5 รุ่นปัจจุบันของโตชิบา[4] [5] ตัวเลขที่ดีขึ้นนะจะช่วยลดการสูญเสียพลังงานของอุปกรณ์และปรับปรุงประสิทธิภาพ โดย TK042N65Z5 มีประสิทธิภาพของหน่วยจ่ายกำลังดีกว่า TK62N60W5 รุ่นปัจจุบันสูงสุด 0.4% ดังที่วัดได้ในวงจร LLC 1.5kW[6]
สามารถดูงานออกแบบอ้างอิง “หน่วยจ่ายกำลังเซิร์ฟเวอร์ 1.6kW (รุ่นอัปเกรด)” ที่ใช้ TK095N65Z5 ได้แล้ววันนี้บนเว็บไซต์ของโตชิบา นอกจากนี้ โตชิบายังมีเครื่องมือให้ใช้สนับสนุนการออกแบบวงจรสำหรับ Switching Power Supply ด้วย นอกจากรุ่น G0 SPICE ที่ยืนยันการทำงานของวงจรได้ในเวลาอันสั้นแล้ว ยังมีรุ่น G2 SPICE ที่จำลองคุณสมบัติชั่วครู่ได้อย่างแม่นยำพร้อมให้ใช้งานเช่นกัน
โตชิบามีแผนที่จะขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ DTMOSVI(HSD) ด้วยการเปิดตัวอุปกรณ์ต่างๆ ในแพ็กเกจ TO-220 และ TO-220SIS แบบ Through-hole และแพ็กเกจ TOLL และ DFN แบบ 8×8 Surface-mount
บริษัทจะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ในซีรีส์ DTMOSVI ต่อไป นอกเหนือจากผลิตภัณฑ์ 650V และ 600V ที่เปิดตัวไปแล้ว และผลิตภัณฑ์ใหม่ที่มีไดโอดความเร็วสูง ซึ่งจะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของ Switching Power Supply ส่งผลให้อุปกรณ์ประหยัดพลังงานได้มากขึ้น
หมายเหตุ:
[1] ณ วันที่ 22 กุมภาพันธ์ 2024 ตามการสำรวจของโตชิบา
[2] การดำเนินการสวิตชิ่งซึ่งตัวไดโอดของ MOSFET จะเปลี่ยนจากไบแอสตรงไปเป็นไบแอสแบบย้อนกลับ
[3] วัดค่าโดยโตชิบา ค่าที่ได้จากผลิตภัณฑ์ใหม่ TK042N65Z5 คือ 0.2mA (สภาวะแวดล้อมการทดสอบ: VDS=650V, VGS=0V, Ta=150°C)
ค่าที่ได้จากผลิตภัณฑ์เดิม TK62N60W5 คือ 1.9mA (สภาวะแวดล้อมการทดสอบ: VDS=600V, VGS=0V, Ta=150°C)
[4] ซีรีส์ DTMOSIV(HSD) 600V
[5] วัดค่าโดยโตชิบา
สภาวะแวดล้อมการทดสอบ:
TK62N60W5
• RDS(ON): ID=30.9A, VGS=10V, Ta=25°C
• Qgd: VDD=400V, VGS=10V, ID=61.8A, Ta=25°C
TK042N65Z5
• RDS(ON): ID=27.5A, VGS=10V, Ta=25°C
• Qgd: VDD=400V, VGS=10V, ID=55A, Ta=25°C
[6] วัดค่าโดยโตชิบา
สภาวะแวดล้อมการทดสอบ: Vin=380V, Vout=54V, Ta=25°C
การใช้งาน
อุปกรณ์อุตสาหกรรม
- Switching Power Supply (เซิร์ฟเวอร์ศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์สื่อสาร เป็นต้น)
- สถานีชาร์จ EV
- เครื่องกรองไฟฟ้า PV
- ระบบสำรองไฟฟ้า
คุณสมบัติ
- MOSFETs ที่มีไดโอดความเร็วสูงในซีรีส์ DTMOSVI รุ่นล่าสุด
- เวลาฟื้นตัวเนื่องจากไดโอดความเร็วสูง:
TK042N65Z5 trr=160ns (ปกติ)
TK095N65Z5 trr=115ns (ปกติ) - สวิตชิงได้ด้วยความเร็วสูงเนื่องจากมี Gate-Drain Charge ต่ำ:
TK042N65Z5 Qgd=35nC (ปกติ)
TK095N65Z5 Qgd=17nC (ปกติ)
ข้อมูลจำเพาะสำคัญ |
||||
(Ta=25°C เว้นแต่ระบุเป็นอื่น) |
||||
หมายเลขชิ้นส่วน |
||||
แพ็กเกจ |
ชื่อ |
TO-247 |
||
ขนาด (มม.) |
ปกติ |
15.94×20.95, t=5.02 |
||
สัมบูรณ์ สูงสุด ระดับ |
Drain-Source Voltage VDSS (V) |
650 |
||
Drain Current (DC) ID (A) |
55 |
29 |
||
Drain-Source On-resistance RDS(ON) (Ω) |
VGS=10 V |
สูงสุด |
0.042 |
0.095 |
Gate charge รวม Qg (nC) |
ปกติ |
105 |
50 |
|
Gate-Drain charge Qgd (nC) |
ปกติ |
35 |
17 |
|
ความจุไฟฟ้าขาเข้า Ciss (pF) |
ปกติ |
6280 |
2880 |
|
ความต้านทางความร้อน Channel-to-case Rth(ch-c) (°C/W) |
สูงสุด |
0.347 |
0.543 |
|
เวลาฟื้นตัว trr (ns) |
ปกติ |
160 |
115 |
|
ซีรีส์ปัจจุบันของโตชิบา (DTMOSIV) หมายเลขชิ้นส่วน |
TK62N60W5[7] |
TK35N65W5, TK31N60W5[7] |
หมายเหตุ:
[7] VDSS=600V
คลิกลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TK042N65Z5
TK095N65Z5
คลิกลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFETs ของโตชิบา
MOSFETs
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชั่นเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง โดยใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมที่สั่งสมมากว่าครึ่งศตวรรษในการนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน, ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพาร์ทเนอร์ทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัทนับ 21,500 คนทั่วโลกต่างร่วมกันมุ่งมั่นเพิ่มคุณค่าของผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างคุณค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 8 แสนล้านเยน (6.1 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ) บริษัท Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่
ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53899054/en
ข้อมูลติดต่อ
สอบถามข้อมูลลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์กำลัง
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา
สอบถามข้อมูลสื่อ:
Chiaki Nagasawa
Digital Marketing Dept.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation