คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–29 สิงหาคม 2023
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้พัฒนา “MG250YD2YMS3” ซึ่งเป็นโมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) แบบคู่ 2200V ตัวแรกของอุตสาหกรรม[1] สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรม โมดูลใหม่นี้มีระดับกระแสไฟเดรน (DC) ที่ 250A และใช้ชิป SiC MOSFET รุ่นที่สามของบริษัท เหมาะสำหรับการใช้งานที่ใช้ DC1500V เช่น ระบบพลังงานแสงอาทิตย์และระบบกักเก็บพลังงาน โดยจะเริ่มทำการจัดส่งเครื่องตั้งแต่วันนี้
Toshiba: MG250YD2YMS3 โมดูล MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) แบบคู่ 2200V ตัวแรกในอุตสาหกรรม (กราฟิก: Business Wire)
การใช้งานทางอุตสาหกรรมดังที่กล่าวข้างต้นโดยทั่วไปจะใช้ไฟ DC1000V หรือต่ำกว่า และอุปกรณ์จ่ายไฟส่วนใหญ่เป็นผลิตภัณฑ์ 1200V หรือ 1700V อย่างไรก็ตาม เนื่องจากคาดว่าจะมีการใช้งาน DC1500V อย่างแพร่หลายในอีกไม่กี่ปีข้างหน้า Toshiba จึงได้เปิดตัวผลิตภัณฑ์ 2200V ตัวแรกของอุตสาหกรรมออกมา
MG250YD2YMS3 มีการสูญเสียการนำไฟฟ้าต่ำโดยมีแรงดันไฟฟ้า (sense) จากแหล่งเดรนต่ำที่ 0.7V (typ.)[2] นอกจากนี้ยังมีการสูญเสียเมื่อเปิดและปิดที่ต่ำกว่าที่ 14mJ (typ.)[3] และ 11mJ (typ.)[3] ตามลำดับ ซึ่งลดลงประมาณ 90%[4] เมื่อเทียบกับ IGBT ซิลิคอน (Si) ทั่วไป คุณลักษณะเหล่านี้ส่งผลให้เครื่องจักรมีประสิทธิภาพสูงขึ้น การสูญเสียเมื่อเปิดปิดที่ต่ำยังทำให้วงจรสามระดับแบบเดิมถูกแทนที่ด้วยวงจรสองระดับที่มีจำนวนโมดูลต่ำกว่า ซึ่งมีส่วนทำให้เครื่องจักรมีขนาดเล็กลง
Toshiba จะยังคงตอบสนองความต้องการของตลาดในด้านประสิทธิภาพสูงและการลดขนาดเครื่องจักรอุตสาหกรรมต่อไป
หมายเหตุ:
[1] ในบรรดาโมดูล SiC MOSFET แบบคู่ จากการสำรวจของ Toshiba ณ เดือนสิงหาคม 2023
[2] เงื่อนไขการทดสอบคือ ID=250A, VGS=+20V, Tch=25°C
[3] เงื่อนไขการทดสอบคือ VDD=1100V, ID=250A, Tch=150°C
[4] การเปรียบเทียบการสูญเสียเมื่อเปิดปิดของ Toshiba สำหรับโมดูล Si 2300V และ MG250YD2YMS3 ซึ่งเป็นโมดูล SiC MOSFET ใหม่ทั้งหมด ณ เดือนสิงหาคม 2023 (ค่าประสิทธิภาพสำหรับโมดูล Si 2300V เป็นการประมาณการของ Toshiba โดยอ้างอิงจากเอกสารที่เผยแพร่ในหรือก่อนเดือนมีนาคม 2023)
การใช้งาน
เครื่องจักรอุตสาหกรรม
– ระบบผลิตไฟฟ้าพลังงานทดแทน (ระบบพลังงานแสงอาทิตย์ ฯลฯ)
– ระบบกักเก็บพลังงาน
– อุปกรณ์ควบคุมมอเตอร์สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรม
– ตัวแปลง DC-DC ความถี่สูง ฯลฯ
คุณสมบัติ
- แรงดันไฟฟ้า (sense) จากแหล่งเดรนต่ำคือ
- DS(on)sense=0.7V (typ.) (ID=250A, VGS=+20V, Tch=25°C)
- การสูญเสียเมื่อเปิดต่ำคือ
Eon=14mJ (typ.) (VDD=1100V, ID=250A, Tch=150°C)
- การสูญเสียเมื่อปิดต่ำคือ
Eoff=11mJ (typ.) (VDD=1100V, ID=250A, Tch=150°C)
- ความเหนี่ยวนำลัดวงจรต่ำคือ
LsPN=12nH (typ.)
|
ข้อมูลจำเพาะหลัก |
||||
|
(Tc=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น) |
||||
|
หมายเลขชิ้นส่วน |
||||
|
ชื่อแพ็คเกจของ Toshiba |
2-153A1A |
|||
|
ระดับกระแสไฟสูงสุดโดยสัมบูรณ์ |
แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งเดรนต่ำ VDSS (V) |
2200 |
||
|
แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งเกท VGSS (V) |
+25 / -10 |
|||
|
กระแสเดรน (DC) ID (A) |
250 |
|||
|
กระแสเดรน (พัลส์) IDP (A) |
500 |
|||
|
อุณหภูมิช่อง Tch (°C) |
150 |
|||
|
แรงดันไฟฟ้าแยก Visol (Vrms) |
4000 |
|||
|
คุณลักษณะทางไฟฟ้า |
แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งเดรน (sense) VDS(on)sense (V) |
ID=250A, VGS=+20V, Tch＝25°C |
typ. |
0.7 |
|
แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งเดรนเมื่อเปิด (sense) VSD(on)sense (V) |
IS=250A, VGS=+20V, Tch＝25°C |
typ. |
0.7 |
|
|
แรงดันไฟฟ้าจากแหล่งเดรนเมื่อปิด (sense) VSD(off)sense (V) |
IS＝250A, VGS=-6V, Tch＝25°C |
typ. |
1.6 |
|
|
การสูญเสียเมื่อเปิด Eon (mJ) |
VDD=1100V, ID=250A, Tch＝150°C |
typ. |
14 |
|
|
การสูญเสียเมื่อปิด Eoff (mJ) |
typ. |
11 |
||
|
ความเหนี่ยวนำลัดวงจร LsPN (nH) |
typ. |
12 |
||
ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
MG250YD2YMS3
ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเครื่องไฟฟ้า SiC ของ Toshiba
เครื่องไฟฟ้า SiC
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัทจำนวน 21,500 คนทั่วโลก มีความมุ่งมั่นร่วมกันในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีที่เข้าใกล้ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ) บริษัท Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและมีส่วนร่วมในอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทั่วโลก
ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: www.businesswire.com/news/home/53545285/en
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
ติดต่อ
ช่องทางติดต่อสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา
ช่องทางติดต่อสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
