คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น–(BUSINESS WIRE)–13 มิถุนายน 2023
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ได้ขยายไลน์อัพของ N-channel power MOSFET ที่ประดิษฐ์ขึ้นด้วยกระบวนการรุ่นล่าสุด[1] โดยมีโครงสร้าง super junction 600V ที่เหมาะสำหรับศูนย์ข้อมูล สวิตชิ่งเพาเวอร์ซัพพลาย และเครื่องปรับสภาพกำลังไฟฟ้าสำหรับเครื่องกำเนิดไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ ผลิตภัณฑ์ใหม่ “TK055U60Z1” เป็นผลิตภัณฑ์ 600V ตัวแรกในซีรีส์ DTMOSVI ซึ่งเริ่มจัดส่งวันนี้
Toshiba: 600V N-channel power MOSFET TK055U60Z1 ในซีรีส์ DTMOSVI (กราฟิก: Business Wire)
ด้วยการเพิ่มประสิทธิภาพการออกแบบและกระบวนการของเกท ผลิตภัณฑ์ซีรีส์ 600V DTMOSVI ลดค่าความต้านทานเดรน-ซอร์สต่อหน่วยพื้นที่ลงประมาณ 13% และชาร์จ On-resistance × gate-drain จากเดรน-ซอร์ส ซึ่งเป็นตัวเลขที่คุ้มค่าสำหรับประสิทธิภาพของ MOSFET โดยประมาณ 52% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ซีรีส์ DTMOSIV-H รุ่นปัจจุบันของ Toshiba ที่มีพิกัดแรงดันเดรน-ซอร์สเท่ากัน ซึ่งทำให้มั่นใจได้ว่าซีรีส์นี้มีการสูญเสียการนำไฟฟ้าต่ำและการสูญเสียการสลับต่ำ และช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของแหล่งจ่ายไฟสลับ
ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้อยู่ในแพ็กเกจ TOLL ที่อนุญาตให้เชื่อมต่อเคลวินของเทอร์มินัลแหล่งสัญญาณสำหรับวงจรขับเกต อิทธิพลของความเหนี่ยวนำในสายต้นทางในแพ็กเกจสามารถลดลงได้เพื่อเน้นประสิทธิภาพการสลับความเร็วสูงของ MOSFET ซึ่งยับยั้งการสั่นระหว่างการสลับ
Toshiba จะยังคงขยายไลน์อัพซีรีส์ 600V DTMOSVI และผลิตภัณฑ์ซีรีย์ 650V DTMOSVI ที่เปิดตัวไปแล้ว และสนับสนุนการอนุรักษ์พลังงานโดยลดการสูญเสียพลังงานในสวิตชิ่งเพาเวอร์ซัพพลาย
หมายเหตุ:
[1] ณ เดือนมิถุนายน 2023
การใช้งาน
- ศูนย์ข้อมูล (สวิตชิ่งเพาเวอร์ซัพพลายสำหรับเซิร์ฟเวอร์ ฯลฯ)
- เครื่องปรับสภาพกำลังไฟฟ้าสำหรับเครื่องกำเนิดไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์
- ระบบไฟฟ้าสำรอง
คุณสมบัติ
- บรรลุการชาร์จ On-resistance × gate-drain จากเดรน-ซอร์ส และเปิดใช้งานสวิตชิ่งพาวเวอร์ซัพพลายที่มีประสิทธิภาพสูง
ข้อมูลจำเพาะหลัก |
||||
(Ta=25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น) |
||||
หมายเลขชิ้นส่วน |
||||
การประเมินค่า สูงสุดสุทธิ |
แรงดันเดรน-ซอร์ส VDSS (V) |
600 |
||
กระแสไฟที่ไหลผ่าน (DC) ID (A) |
40 |
|||
อุณหภูมิช่อง Tch (°C) |
150 |
|||
คุณลักษณะทางไฟฟ้า |
ความต้านทานไฟฟ้า ของเดรน-ซอร์ส RDS(ON) (mΩ) |
VGS=10V |
สูงสุด |
55 |
ชาร์จเกตทั้งหมด Qg (nC) |
typ. |
65 |
||
ชาร์จเกต-เดรน Qgd (nC) |
typ. |
15 |
||
ความจุอินพุต Ciss (pF) |
typ. |
3680 |
||
แพ็กเกจ |
ชื่อ |
TOLL |
||
ขนาด (มม.) |
typ. |
9.9×11.68, t=2.3 |
||
การตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน |
ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TK055U60Z1
ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFET ของ Toshiba
MOSFETs
หากต้องการตรวจสอบการวางจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ผู้จัดจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TK055U60Z1
ซื้อออนไลน์
* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้น ๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านเซมิคอนดักเตอร์และโซลูชันจัดเก็บขั้นสูง โดยนำประสบการณ์และนวัตกรรมที่สั่งสมมากว่าครึ่งศตวรรษมาใช้ เพื่อมอบเซมิคอนดักเตอร์, วงจร LSI ระบบ และผลิตภัณฑ์ HDD ที่มีความโดดเด่นให้แก่ลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจ
พนักงานของบริษัท 21,500 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นในการเพิ่มคุณประโยชน์ของผลิตภัณฑ์ให้ถึงขีดสุด และส่งเสริมการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้า เพื่อร่วมสร้างคุณประโยชน์และตลาดใหม่ ๆ ร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีเกือบ 800 พันล้านเยน (6.1 พันล้านเหรียญสหรัฐ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ตั้งตารอที่จะสร้างและเข้ามามีบทบาทเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่
ดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย
ติดต่อ
ช่องทางสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
Tel: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา
ช่องทางสอบถามสำหรับสื่อมวลชน:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation